FDP3651U
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDP3651U |
---|---|
Hersteller / Marke: | Freescale / NXP Semiconductors |
Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220-3 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 255W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5522 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
FDP3651U Einzelheiten PDF [English] | FDP3651U PDF - EN.pdf |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FAIRCHILD TO-220
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETT
FAIRCHILD TO-220
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
FAIRCHILD TO220
FAIRCHILD TO-220
MOSFET N-CH 330V 34A TO-220
FAIRCHILD TO-220
MOSFET N-CH 330V TO220-3
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FAIRCHILD TO-220
FAIRCHILD TO-220
MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3
MOSFET N-CH 250V 33A TO220-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDP3651UFairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|